最受欢迎和常用的电力电子开关设备是以下是，场效应晶体管,IGBT．但是当涉及到交换交流波形时，我们经常会注意到leyu.app 用于在两个方向上切换电流的。现在,因为双向可控硅不能对称地发射/触发，它有一个叫做DIAC的支持组件。DIAC是一种两端设备，可以根据施加在其上的电压作为开关。在本文中，我们将进一步了解DIAC及其构建、工作和应用。让我们开始吧，......

什么是DIAC?

DIAC的意思是迪歌唱的一个lternatingC当前(DIAC)，它是一个双向半导体开关可以在正向和反向打开。该设备是晶闸管它主要用于触发可控硅和其他基于可控硅的电路。DIAC开始导电电流，如果施加的电压超过其突破电压。

diac可在不同类型的DIAC包例如小铅包装的分立组件，表面安装的包装，螺栓固定在底盘上的大包装和各种其他包装。大多数时候DIAC和可控硅是一起使用的，所以它们也可以在集成包中使用。

DIAC -符号

DIAC由2的符号表示二极管彼此平行或相反连接的，有两个端子的。由于DIAC是双向的，我们不能将这些终端命名为阳极和阴极DIAC端子简称为A1和A2或MT1和MT2，其中MT代表主终端。因此,DIAC的pinouts都是可逆的，就像电阻或陶瓷电容器一样。

你可能已经注意到了，虽然它属于可控硅家族没有控制门终端因为他们可以打开或关闭通过简单地降低电压水平低于雪崩击穿电压它可以在两个极性中进行。

双向开关二极管结构

DIAC的结构将非常类似于晶体管的结构，但它们有一些区别，如DIAC没有任何基端，所有三层都有相同数量的掺杂，并在施加电压的两个极性中提供对称的开关特性。

上图显示了典型的建立区议会．如前所述，DIAC有两个终端，即MT1和MT2，它可以在两个方向提供电流流．DIAC由五层结构构成;靠近终端的层是正极和负极层的组合。当电压通过到终端的层与各自的极性的电压被激活，这两个极性的组合有助于在两个方向上操作DIAC

DIAC工作原理

上面的图像显示了DIAC的清晰操作与各自的极性。假设MT1端为正极，那么MT1附近的P1层将被激活，因此传导将按照P1- n2 - p2 - n3的顺序进行。当电流从MT1流向MT2时，P1-N2和P2-N3之间的结为正向偏置，p2 - p2之间的结为反向偏置。

同样，如果我们认为MT2端为正极，那么MT2附近的P2层将被激活，传导将按照P2- n2 - p1 - n1的顺序进行。电流将从MT2流向MT1, P2-N2和P1- n1之间的接点是正向偏置的，N2- P1之间的接点是反向偏置的。因此传导在两个方向上都是可能的。

六、DIAC的特点

的DIAC的V-I特性曲线将呈Z形，曲线将位于第一和第三象限，因为它们同时具有正极性和负极性。第一象限表示正半周期，电流将从MT1流向MT2，第二象限表示负半周期，电流将从MT2流向MT1。

最初，DIAC的电阻会更高，因为层之间的反向偏置结，所以会有漏电流小通过DIAC，它被称为阻塞状态在曲线上。一旦施加的电压达到击穿电压，DIAC的电阻突然下降，然后它开始导电，导致电压急剧下降，电流开始增加，这被称为导通状态在曲线上。大多数diac的击穿电压在30伏左右，具体的击穿电压取决于设备的类型。DIAC会在导通状态直到电流达到特定的值称为保持电流，其中保持电流是设备保持ON状态所需的最小电流。

如何使用DIAC?

diac大多使用在可控硅电路内，因为可控硅电路不对称发射电路，因为器件的两半之间有细微的差别。非对称发射和由此产生的波形将产生不必要的谐波在输出中，波形的对称性越小，谐波就越大。

DIAC与可控硅门串联连接，以解决由于发射不对称而引起的问题。DIAC可以帮助在两个半周期对称开关，因为它比可控硅有更均匀的开关特性。DIAC可以阻止任何栅电流流动，直到施加电压在任何方向上达到一定的电压，因此可控硅的点火点在两个方向上都更均匀。

DIAC的应用

如果你想要一个可控硅传导，你需要提供一个正或负脉冲到门，为了提供对称的发射，DIAC大多与可控硅电路一起使用。的diac用于触发可控硅或其他类型的晶闸管，除了这一点，他们没有很多的应用。diac在各种应用程序中用作触发设备，例如相位控制电路的电机转速控制，调光器，热控制，以及许多其他控制电路。让我们看看调光器和热控制电路的例子。

温度控制:

上面的电路显示了用于平滑控制加热器的交流电源的diac -可控硅组合的典型结构。电容C1和扼流圈L形成一个LC电路，当可控硅处于OFF状态时，该电路减缓了可控硅的电压上升。R2是电位器，用于控制应用电压在两个半周期和电阻R4跨越DIAC确保平滑控制。可控硅传导的时间越长，从加热器散出的热量就越大，因此这里的DIAC用于从加热器输出的热量的平稳控制。

光衰减器:

上面的电路显示RC移相网络以及用于调光应用的DIAC控制可控硅。施加到可控硅栅极端的电压是由涉及电阻R3和电容C3的RC安排而变化的。当设备处于OFF状态时，电压上升速率受串联R4-C1网络的限制，该网络连接在可控硅控制器上。

一旦输入电压从230V电源施加，电容器C1和C2开始以可变电阻R2确定的速率充电。一旦电容C3的电压超过了DIAC的击穿电压，它被触发，DIAC开始导电，这将放电电容C3，栅极脉冲被给可控硅。门脉冲打开可控硅开关，电流开始流过灯。通过改变R2中的电阻，电容器的充电速率也得到了改变，这反过来改变了可控硅在正半循环和负半循环中被触发的电压速率。可控硅的发射角度可以改变到180度，因此，负载电压是co