2N7002 n通道逻辑电平MOSFET

的2 n7002是低电压，低电流吗逻辑级n沟道MOSFET．由于其低导通电阻和低输入电容，它被用于电源管理应用。MOSFET可以很容易地控制3.3V或5V系统电压，因为它具有低阈值电压。

销的配置

密码	销的名字	描述
1	源	电流通过源流出
2	门	控制MOSFET的偏置
3.	排水	电流通过Drain流入

特性

• 具有低通态电阻的n沟道MOSFET
• 连续漏极电流(ID)为200mA
• 漏源电压(VDS)为60V
• On-state电阻为<5Ω
• 最小门限电压(VGS-th)为1V
• 最大门限电压(VGS-th)为3V
• 开启和关闭时间分别为15ns和8ns
• 可在To-92和SOT23-3L包

注:完整的技术资料可在2 n7002数据表在本页的末尾。

2 n7002替代品

NTR4003、FDC666 FDC558

2 n7002等效p沟道

BSS84, FDN358P

其他n沟道mosfet

BS170N，IRF3205，2 n7000，IRF1010E，IRF540N

2 n7002简要描述

的2 n7002是一种具有低通态电阻的逻辑电平MOSFET。mosfet具有较低的门源阈值电压为2.1V，这使得mosfet甚至适用于3.3V的应用电路。由于mosfet具有低的状态电阻，它具有高效率期间，当mosfet在。由于这一特性，它可以保持较高的开关性能，因此在电源管理应用中得到广泛的应用。

mosfet也在SMD封装中，因此可以用于紧凑的应用。mosfet的一个相当大的缺点是它的漏极电流低;它可以提供200mA的连续电流和峰值电流高达1A的最大阈值电压。超过这个值就会损坏mosfet。

2 n7002应用程序

• 低电流和低电压开关应用
• 直流-直流转换器
• eMobility应用程序
• 适用于需要低通态电阻的场合。
• 电源管理应用程序

2维模型

MOSFET可在SOT23和TO-92封装，SOT23封装的尺寸如下所示。其他维度请参考下面的数据表。