IRF1010E - n通道功率场效应晶体管

IRF1010E是一种用于高速开关应用的n通道增强MOSFET。它也有低开电阻。像任何其他MOSFET一样，IRF1010E是电压控制器件，MOSFET的状态由GATE电压决定。

IRF1010E销配置

它有三个大头针门，排水和源．的IRF1010E的引脚配置下面给出。

密码	销的名字	描述
3.	源	正常接地
2	排水	正常连接到LOAD
1	门	通常用作触发器打开MOSFET。

IRF1010E功能和规格

• 先进的工艺技术
• 完全雪崩额定
• 快速切换
• 第五代HEXFET
• 通过漏极和源极的最大电压:60V
• 槽漏最大允许连续电流:81A
• 最大脉冲漏极电流:330A
• 通过GATE和SOURCE的最大电压:20 V
• 最高工作温度:175℃
• 最大功耗:170w

注意:完整的技术资料可在IRF1010E数据表链接在本页底部。

IRF1010E等价物

Irf1407, irfb4110, irfb4110g, irfb4115, irfb4310z, irfb4310zg, irfb4410

IRF1010E在哪里使用?

使用IRF1010E的原因有很多，下面是一些:

• 当你需要一个高速开关设备的中等功率负载。如上所述，IRF1010E是专门为中功率负载的高速开关而设计的，因此在这些领域非常流行。
• 当你需要低降开关装置时。MOSFET具有非常低的开阻，导致在开状态下产生非常低的降，这在某些应用中是必须的条件。
• 在低降条件下，MOSFET的功率损耗较小。系统功耗越小，效率越高。因此MOSFET是高效率应用的首选。

如何使用IRF1010E

IRF1010E MOSFET可以像任何其他功率mosfet一样使用，所以让我们考虑一个IRF1010E的示例电路如下所示。

在上述电路中，我们使用IRF1010E作为简单的开关器件。在电路中，我们使用a小型汽车随着负载。触发器打开MOSFET是由控制单元提供的(不是微控制器，因为微控制器不能提供高于+5V的电压)。SOURCE已接地。这里的电源是+12V电池。

控制单元触发电压= V1

GATE电压= V2

电阻R1和R2在这里形成一个分压器电路提供适当的电压在GATE。因此，它们是根据控制单元触发电压(V1)和MOSFET GATE阈值电压来选择的。

例如，控制单元提供电压+12V的脉冲。另外，为了完全开启MOSFET IRF1010E，我们需要GATE电压为10V。

V1 =+12V V2 =+ 10V

我们可以选择R1和R2，

R1	R2
200Ω	1 kΩ
400Ω	2 kΩ
2 kΩ	10 kΩ

由以上任何一组组成的分压器电路将在MOSFET GATE提供精确的+10V。这个电阻设置可以选择不考虑电流从MOSFET，因为它是微不足道的。这些电阻可以近似地选择用于正常应用。

在上述电路的正常条件下，MOSFET将关闭，因为这些将是没有GATE电压。当MOSFET是OFF时，完整的VCC出现在它上面。在这种情况下，漏极电流为零。由于漏极电流为零，电机将闲置。

当控制单元提供电压脉冲，将有GATE电压。在GATE电压存在的情况下，场效应晶体管被调谐到ON。与此将有漏极电流流过电机。有电流的电机旋转。电机将保持旋转，直到有GATE电压。

当控制单元输出低，栅极电压也变成低。当GATE电压低于阈值电压时，MOSFET被关闭。在OFF状态下，漏极电流也成为零，使电机停止。

通过上面的场景，你可以知道MOSFET作为开关器件触发器由控制单元提供。这样我们就可以在任何应用中使用IRF1010E作为交换设备。上面使用的电路是一个简单的测试电路，而不是应用电路。应用电路必须有需要的安排，如散热器，反激二极管等。

应用程序

1. 基本上任何开关应用程序
2. 速度控制单元
3. 照明系统
4. 脉宽调制的应用程序
5. 继电器驱动程序
6. 开关式电源

2维模型

所有的测量单位都是毫米(英寸)