IRF510 N沟道功率MOSFETGydF4y2Ba

IRF510GydF4y2Ba是第三代GydF4y2Ba功率MOSFET.GydF4y2Ba与最佳组合GydF4y2Ba快速切换和低导通电阻GydF4y2Ba。该组件以较低的成本提供。因此，它广泛用于工业应用中GydF4y2Ba功耗级别高达43WGydF4y2Ba。GydF4y2Ba

IRF510 MOSFET.GydF4y2Ba能够耐受漏极 - 源极电压VGydF4y2Ba_DS.GydF4y2Ba高达100V和连续排水电流iGydF4y2Ba_D.GydF4y2Ba高达5.6a。它可以承受脉冲模式的20A电流，属于包到-220ab。它专为需要高速切换而像电机驱动器，开关转换器和稳压器等的应用。GydF4y2Ba

IRF510引出线的描述GydF4y2Ba

别针没有GydF4y2Ba	PIN名称GydF4y2Ba	针描述GydF4y2Ba
1GydF4y2Ba	门GydF4y2Ba	控制MOSFET的偏置GydF4y2Ba
2GydF4y2Ba	流走GydF4y2Ba	电流通过排水管流动GydF4y2Ba
3.GydF4y2Ba	源GydF4y2Ba	电流通过源流出GydF4y2Ba

特征GydF4y2Ba

• 动态DV / DT评级GydF4y2Ba
• 单脉冲雪崩评级GydF4y2Ba
• 高输入阻抗GydF4y2Ba
• 线性传输特性GydF4y2Ba
• 高速切换速度（根据纳秒）GydF4y2Ba
• 易于并联GydF4y2Ba
• 工作温度高达175˚CGydF4y2Ba
• 低热阻GydF4y2Ba

应用程序GydF4y2Ba

IRF510的申请如下。GydF4y2Ba

• UPS（不间断电源）GydF4y2Ba
• 电池充电器和管理系统GydF4y2Ba
• 电机驱动电路GydF4y2Ba
• 电信和计算机应用GydF4y2Ba
• 太阳能联合包裹GydF4y2Ba
• 快速切换应用GydF4y2Ba
• 开关转换器和稳压器GydF4y2Ba

技术规格GydF4y2Ba

• 晶体管极性：N沟道GydF4y2Ba
• 漏极 - 源极电压VGydF4y2Ba_DS.GydF4y2Ba：100V.GydF4y2Ba
• 漏极源电流iGydF4y2Ba_D.GydF4y2Ba：5.6aGydF4y2Ba
• 开态电阻（漏极 - 源电阻）rGydF4y2Ba_DS.GydF4y2Ba：0.54ΩGydF4y2Ba
• 工作温度范围：-55˚C至175˚CGydF4y2Ba
• 门充电Q.GydF4y2Ba_GGydF4y2Ba：8.3nc.GydF4y2Ba
• 门源电压VGydF4y2Ba_GS.GydF4y2Ba：±20V.GydF4y2Ba
• 最大功耗：43WGydF4y2Ba
• 进行最大电压：2V至4VGydF4y2Ba
• 包类型：到-220abGydF4y2Ba

注意：可以在其中找到更多技术规格GydF4y2BaIRF510数据表GydF4y2Ba附在本页末尾。GydF4y2Ba

IRF510当量GydF4y2Ba

IRF512.GydF4y2Ba那GydF4y2BaIRF120GydF4y2Ba那GydF4y2BaIRF522GydF4y2Ba那GydF4y2BaIRF520GydF4y2Ba那GydF4y2BaIRF634.GydF4y2Ba那GydF4y2BaIRF532.GydF4y2Ba

开关的特点GydF4y2Ba

• 导通延迟时间tGydF4y2Ba_{大学教师）GydF4y2Ba}：6.9ns.GydF4y2Ba
• 关断延时时间tGydF4y2Ba_{d(下)GydF4y2Ba}: 15 nsGydF4y2Ba
• 上升时间t.GydF4y2Ba_R.GydF4y2Ba：16ns.GydF4y2Ba
• 秋天时间t.GydF4y2Ba_FGydF4y2Ba：9.4nsGydF4y2Ba

模拟GydF4y2Ba

这个GydF4y2BaMosfet.GydF4y2Ba是一个开关装置，当可用的足够的栅极电压或其他时，它将打开或者，它将保持在关闭状态。在此模拟中，我们将使用IRF510打开LED。如果施加的栅极电压不足以打开设备，则电流不会从漏极流到源，LED将保持在截止状态。GydF4y2Ba

当栅极电压足以打开MOSFET时，LED将打开，电流将通过漏极到达源极。GydF4y2Ba

2D模型和尺寸GydF4y2Ba

如果GydF4y2Ba您正在使用此组件设计PCB或PERF板，然后数据表中的以下图片将有用的是知道其包类型和尺寸。GydF4y2Ba