IRFP460 n通道功率场效应晶体管
IRFP460是Vishay公司的n通道功率MOSFET，旨在提供低通阻和快速开关的最佳组合。这是一个带有漏源击穿500伏的高压设备，在TO-247包中。
IRFP460 MOSFET引脚配置
密码 |
销的名字 |
销的描述 |
1 |
门 |
栅极端子控制漏极和源极之间的传导 |
2 |
排水 |
电流“输入”，电流通过这个端子流入MOSFET |
3. |
源 |
电流“输出”，通常连接到地，电流从这个端子流出，相对于这个端子施加的栅极电压 |
特性和规格
n沟道MOSFET功率
漏源击穿电压:500V
连续漏极电流:20A
输入电容：4.2NF
门阈值:2V ~ 4V
可在TO-247包
注意:完整的技术细节可在IRFP460数据表在本页末给出。
IRFP460等效场效电晶体
IRFP460 MOSFET的一般描述
的IRFP460是一个n沟道场效应晶体管由威世。它的设计具有500V的高击穿电压和0.27Ω在10V的栅极电压下的低通阻。由于击穿电压高，该MOSFET可用于具有市电电压输入的开关转换器、高压放大器和电机驱动器。
如何使用IRFP460 MOSFET
MOSFET是一种电压控制器件，这意味着必须有一个电压出现在门(相对于源)，它才能打开。在这种情况下，IRFP460有一个在2V和4V之间的栅极阈值电压，在这个电压下它刚刚开始导电。为了实现0.27Ω的指定通电电阻，栅极电压必须至少为10V。栅极电压的最大极限为±20V，超过这个极限就会损坏栅极。
功率场效应管如IRFP460通常用于低侧交换配置。在下面链接的交互式模拟中，MOSFET用于以10kHz的频率切换感应负载。二极管横跨电感防止电压尖峰破坏场效应晶体管。10K下拉电阻确保MOSFET在默认情况下是关闭的，不会意外打开。
仿真电路
应用程序
直流-直流转换器
电机驱动程序
功率放大器
电源转换装置
2D模型及尺寸
如果您正在使用该组件设计PCB或Perf板，那么以下来自数据表的图片将有助于了解其封装类型和尺寸。
部分数据表
