IRLZ34N N沟道功率MOSFET

2021年10月19日 - 0评论

IRLZ34N MOSFET

IRLZ34N MOSFET引脚

N沟道高功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）用于从微控制器驱动更高的电压和电流。它们具有非常低的导通电阻（@0.035Ω或35毫欧），因此，它们散热更少，通常不需要散热器（只要负载小于2.5安培）.功率MOSFET的IR MOSFET系列用于广泛的设备，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、开关电源、照明、负载开关以及电池供电应用。

IRLZ34N MOSFET Pinout配置

密码	密码名	Pin码描述
1.	门	控制MOSFET的偏置
2.	排水	电流通过漏极流入
3.	源	电流通过源流出并离开MOSFET

特点和规格

制造商：英飞凌
安装方式：通孔组件
包装/箱：TO-220箱
高度：15.65毫米
长度:10毫米
宽度：4.4毫米
上升时间：100纳秒
降落时间：29纳秒
晶体管极性：N沟道
渠道模式:增强
工作温度范围:- 55⁰C至+175⁰C
漏源击穿电压（VDSS）=55V
连续漏电流（I_D)=30A
漏极源极导通电阻（R_ds): 0.035Ω
功耗（P_D): 68 W
漏源极击穿电压:55 V
最大门对源电压:±16v

IRLZ34N等效MOSFET

IRLZ44Z、IRLZ44N、IRFB3607G、IRFB3207Z、IRF3205Z、IRF1407、IRFB4310ZG、IRFB4510G、IRF3710、IRF1407、，IRF1010EZ，IRFB4321，IRFZ44V，IRFB4410等。

IRLZ34N MOSFET工作（n通道，增强型）

测试MOSFET（增强型）让我们简单地了解一下内部的情况。现在MOSFET常用作开关。向栅极引脚施加电压，这会打开漏源路径，从而起到开关的作用。在某些情况下，这比机械开关更好，因为没有移动部件。栅极与漏源极绝缘它就像一个非常小的电容器，栅极上有正电压，当源极打开通道时，器件导通。当栅极源极电压降至零时，器件关闭。

如何使用数字万用表测试MOSFET的通断状态

现在，要测试MOSFET，将DMM设置为二极管特性。要测试MOSFET在OFF状态，在不施加任何电压的情况下离开栅极，并检查漏极和源极之间的连接。因此，将DMM的负极连接到源极，将正极连接到漏极。DMM应该显示OL(过载，这意味着有一个开路)。现在，我们应该给栅极引脚一个小电压，并观察它作为一个小电容器的作用。要做到这一点，取DMM的正探头，并暂时接触门管脚，并将正探头连接回漏。现在我们可以看到我们有一个短路(你应该能够听到蜂鸣器哔哔指示短路)。这意味着栅极被充电，MOSFET处于ON状态。为了使MOSFET回到OFF状态，我们需要放电栅极。因为它是一个小电压，只要用手指触摸栅极和源极，它就会放电，MOSFET关闭。