n沟道功率MOSFET
的P55NF06是一个n沟道MOSFET高漏极电流为50A，低Rds为18mΩ。它也有一个20V的VGS，在那里MOSFET将开始导电。因此，它通常用于驱动应用程序。然而，如果MOSFET必须完全开关，则需要驱动电路。
MOSFET Pinout配置
密码 |
销的名字 |
描述 |
1 |
门 |
控制MOSFET的偏置 |
2 |
排水 |
电流通过漏极流入 |
3. |
源 |
电流通过源在离开MOSFET |
功能和规格
- n沟道MOSFET功率
- 连续漏极电流(ID): 35A
- 脉冲漏极电流(ID-peak)为50A
- 漏极至源极击穿电压:60V
- 漏极源电阻(RDS)为0.018欧姆
- 门限值电压(VGS-th)为20V (max)
- 上升时间为50nS，下降时间为15nS
- 输入电容1300 pf
- 输出电容300 pf
- 可在To-220包
注意:完整的技术细节可在P55NF06数据表在这一页的底部
P55NF06等效场效电晶体
IRF2807、IRFB3207 IRFB4710,IRFZ44N，IRF1405，IRF540N，IRF3205
P55NF06 MOSFET概述
的P55NF06 MOSFET是一种n沟道功率MOSFET，可用于许多不同的应用。这种MOSFET以其高漏极电流而闻名转换速度快最重要的是，它有一个非常低的导通电阻，这增加了该设备的效率。根据数据表，这个MOSFET将在一个很小的栅极电压10V时开始导电，但最大漏极电流将在栅极电压20V时流动。由于这种MOSFET是为高功率应用而设计的，它可以由微控制器或逻辑电平设备驱动。
该MOSFET的门阈值电压很低，只有4V，这意味着即使从Arduino等微控制器的GPIO管脚5V也可以打开MOSFET。但这并不意味着MOSFET将完全打开仅5V，它需要大约10V供应栅极引脚完全打开和供应27A恒定电流。所以，如果你正在寻找一个MOSFET与微控制器使用，那么你应该考虑逻辑级MOSFET2 n7002或者IRLZ44N等等。或者，你也可以使用驱动电路提供10V到这个MOSFET的栅极引脚使用一个晶体管。该MOSFET的频率响应非常好，因此它也可以用于直流-直流变换器电路。
在正常情况下和没有外部影响就没有电压出现在门口的MOSFET因为MOSFET是由一个电容器,这就是为什么我们需要下拉的门MOSFET在地上为了防止虚假的触发电路,我们都知道，MOSFET是电压控制器件，这意味着关闭MOSFET，我们只需要提供电压到栅极，理论上没有电流应该通过栅极，但实际上有少量泄漏电流流过栅极。
如何使用P55NF06 MOSFET
mosfet是电压控制器件，因此只需要很小的电压就可以打开它们。P55NF06 MOSFET,门刺激电压只有4 v, P55NF06是一个n沟道MOSFET,意味着它将在MOSFET的栅连接到VCC的供应,这将是当其拆除或连接到地面。
下面的模拟电路显示了当基本电路的栅极连接到地和当它连接到电源的VCC时，MOSFET的行为。
当我们通过连接栅极和电源打开MOSFET时，MOSFET将保持打开状态，除非栅极电压低于MOSFET的阈值电压。对于这个P55NF06 MOSFET，这个电压小于4V，低于这个电压MOSFET将处于其ohomic状态，没有电流将流过设备。正如我们之前提到的，场效应晶体管的栅极应该在一个下拉电阻的帮助下连接到地面，正如在示例电路中所示，一个10K电阻被用来拉下场效应晶体管的栅极到地面。
应用程序
- 电动转向系统(EPS)
- 防抱死制动系统(ABS)
- 刮水器开关
- 气候控制
- 权力的门
二维模型和尺寸
如果您正在使用该组件设计PCB或Perf板，那么P55NF06 datasheet中的以下细节将有助于了解其封装类型和尺寸。
