650 V SiC肖特基二极管与MPS设计，以减少开关损耗和温度差异的影响

Vishay Intertechnology发布了10新的650 V碳化硅肖特基二极管来提高高频应用的效率通过降低开关损耗。不管温度变化的影响，这些新设备都能在更高的温度下工作。的合并PIN肖特基(MPS)设计二极管的保护电场不受肖特基势垒的影响减少泄漏电流，同时通过井眼注入增加浪涌电流能力。

这些新型二极管的额定电流来自2L to - 220ac和to - 247ad 3L封装中的4 A至40 A并可提供高温操作至+175°C。他们处理与传统的纯硅肖特基器件相同的电流水平，唯一的区别是正向电压降略有增加，同时显示出显著更高的强度。

用于高压电源的PFC、高频整流、服务器、电信设备、UPS、太阳能逆变器等LLC变换器。这为设计师提供了增加了系统优化的灵活性。新SiC二极管的样品和生产数量现已提供，交货时间为10周。

的特性650 V SiC肖特基二极管

• 合并PIN肖特基(MPS)设计
• 电流额定值从4a到40a
• 在SiC宽带隙材料上采用肖特基技术的多数载流子二极管
• 正VF温度系数，便于并联
• 几乎没有恢复尾和开关损耗
• 提供2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装
• 可在+175°C高温下工作
• 通过无铅认证和无卤

注意:更多的技术信息可在650 V SiC肖特基二极管数据表链接在本页的底部和650 V SiC肖特基二极管产品页面。