AOM033V120X2Q:汽车等级1200V /33MΩαSICMOSFET,用于电动车辆的卓越性能和效率
Alpha和Omega半导体有限公司合作推出AOM033V120X2Q,AEC-Q101合格1200 v / 33米Ω碳化硅(SiC) αSiC mosfet在优化的TO-247-4L封装中。这款新设备是专门为汽车应用而设计的,它采用了800V的电气系统,以减小系统的尺寸和重量,同时增加续航里程,并显著加快充电速度。
新的汽车级αSiC mosfet提供优越的开关性能、可靠性和效率在电动汽车(EV)车载充电器、电机驱动逆变器和板外充电站中,这些1200V SiC mosfet为汽车合格的TO-247-4L提供了业界领先的最低导通电阻标准门驱动器15V.
新的αSiC mosfet的附加传感导线减少了电感效应,使器件在a更高的开关频率与标准封装相比,开关损耗减少75%。15V栅极驱动器电压允许栅极驱动器的最大兼容性,便于在各种系统设计中采用。αSiC mosfet在额定175°C下具有非常低的导通电阻增加,以最小化功耗并进一步提高效率。
AOM033V120X2Q的特点
- 专有的αSiC MOSFET技术
- 低损耗,低RDS, ON
- 快速开关,具有低RG和低电容
- 优化栅极驱动电压(VGS =15V)
- 低反向恢复二极管(Qrr)
- 最大操作结温度为175°C
- AEC-Q101汽车合格
注意:更多技术资料可参阅AOM033V120X2Q数据表链接在本页底部和产品页AOM033V120X2QαSiC场效电晶体.