EF系列功率MOSFET与快体二极管实现高功率密度，同时降低传导和开关损耗

Vishay Intertechnology, Inc推出了新的第四代600v EF系列快体二极管MOSFET，采用低调的PowerPAK 10 x 12封装，为电信、工业和计算应用提供高效率和功率密度。新Vishay Siliconix n通道SiHK045N60EF降低29%的通阻，同时降低60%的栅极电荷，支持功率转换过程的所有阶段，从高压输入到低压输出，为最新的高科技设备提供动力。该装置的典型应用包括边缘计算和数据存储;UPS;高强度放电灯和荧光镇流器照明;太阳能逆变器;焊接设备;感应加热;电机驱动;和电池充电器。

基于Vishay最新的节能E系列超级结技术，SiHK045N60EF在10v下的典型低通电阻为0.045 Ω，比PowerPAK 8 x 8封装中的器件低27%。其结果是在≥3 kW的应用中具有更高的额定功率，而设备2.3 mm的低轮廓增加了功率密度。此外，MOSFET提供极低的栅极电荷，可达70 nC。由此产生的FOM为3.15 Ω*nC，比同级别最接近的竞争MOSFET低2.27%，这转化为减少传导和开关损耗，以节约能源和提高效率。这允许该设备解决服务器电源中特定的钛效率要求，或在电信电源中达到98%的峰值效率。

此外，为了提高零电压开关(ZVS)拓扑结构(如LLC谐振变换器)的开关性能，SiHK045N60EF提供了分别为171 pf和1069 pf的低有效输出电容Co(er)和Co(tr)。该器件的Co(tr)比同级别最接近的竞争MOSFET低8.79%，而其快速体二极管提供0.8 μC的低Qrr，以提高桥拓扑的可靠性。

特性

• 第四代E系列技术

• 低绩效(FOM) Ron x Qg

• 低有效电容(Co(er))

• 减少开关和传导损失

• 额定雪崩能量(UIS)

应用程序

• 服务器和通信电源

• 开关模式电源(SMPS)

• 功率因数校正电源(PFC)