第四代750V SiC fet在汽车和工业应用中提供高效率和低传导损耗

UnitedSiC已经推出了Gen 4uj4c系列750V SiC fet在汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和能源存储应用领域提供突破性的性能水平。这些新的fet提供最佳的性能数据的价值(FoM)为了更低的传导损失和提高效率在更高的速度，除了保持高水平的成本效益。该设备是安全驱动的标准0V至12V或15V栅极驱动电压，并提供良好的阈值噪声裕度维持在真正的5V阈值电压。

内置ESD保护钳，新的SiC场效应管可以从所有典型的Si IGBT, Si MOSFET和SiC MOSFET驱动电压操作。UJ4C系列符合AEC-Q101标准，采用行业标准的TO247-3L和TO247-4L封装。

UJ4C SiC FET系列的特点

• 750 v VDS公司评级
• 低RDS(on)从18mohm到60mohm
• 优秀的反向恢复
• 低体二极管
• 门费用低
• 低固有电容
• ESD保护，HBM 2级
• 行业标准通孔和表面贴装包装

注意:更多的技术信息可以在UJ4C075018K3S数据表链接在本页的底部UJ4C SiC FET系列产品页面。