基于GaN半导体技术的高功率射频和微波PIN二极管用于航天和军事应用

Fairview Microwave发布了新的大功率宽带射频和微波PIN二极管系列，采用GaN半导体技术，以确保最先进的功率性能和卓越的功率体积比。该设备提供切换速度快，低至<50 nsec和展示优异的热性能和高击穿电压．

提供一个同轴包,这些开关可用于各种应用，如航空航天和国防、微波无线电、军事和商业通信、甚小孔径终端、卫星通信、测试和测量、无线基础设施和光纤应用。这些设备可以提供宽频和窄带射频和微波频率的高输入功率水平。

这些新装置可以覆盖频率范围从DC到18ghz反射式SPDT和SP4T PIN二极管设计。这些PIN二极管开关还具有紧凑的同轴封装，冷开关性能高达100瓦连续波RF输入功率，以及TTL兼容的驱动电路，实现精确的逻辑控制。

大功率宽带射频和微波PIN二极管系列的特点

• GaN半导体PIN二极管开关技术
• 50欧姆反射设计覆盖从DC到18 GHz的宽带频率
• 高射频输入功率处理高达100瓦CW
• 开关速度50到100纳米秒
• 插入损耗:典型的0.9到1.5 dB
• 紧凑和坚固的密尔级同轴封装设计，集成TTL兼容驱动程序

注意:更多的技术信息可在FMSW1100数据表链接在本页的底部和产品页GaN高功率PIN二极管开关产品页面。