GS-065-00-5-B-A:紧凑型汽车级650V GaN e型晶体管，高功率应用

GaN系统已经扩展了它的家族生产650 v晶体管随着GS-065-00-5-B-A的引入，a60A底端冷却晶体管．这种新型晶体管结合了GaN的高频特性与GaN Systems的专有岛技术布局和GaN PX封装提供高功率，低损耗性能在今天的电力电子中。

GS-065-00-5-B-A是专为高要求而开发的大功率电动汽车应用程序例如车载充电器、牵引逆变器和DC-DC转换器。底端冷却晶体管可以提供非常低的结到外壳热电阻要求高功率应用。通过利用氮化镓功率晶体管，电力工程师可以使他们的产品更小、更轻，同时降低系统成本。

GS-065-00-5-B-A晶体管的特点

• 650v增强模式功率晶体管
• 底部冷却，低电感GaNPX封装
• RDS(on) = 25 mΩ
• IDS(max) = 60 A
• 超低流分布
• 简单浇口驱动要求(0 V至6 V)
• 瞬态容栅驱动(-20 / +10 V)
• 非常高的开关频率(> 10 MHz)小11 x 9毫米²PCB足迹

注意:更多技术资料可参阅gs - 065 - 00 - 5 b -一个数据表链接在本页面的底部和产品页面GS-065-00-5-B-A e型GaN晶体管．