高性能650V和1200V D2PAK-7L紧凑SiC fet，用于可靠的开关操作

UniteSiC已经扩展了它的FET产品组合，引进了6个新的650 v和1200 v中可用的选项30 40 80和150mΩ版本。符合行业标准D2PAK-7L表面贴装包这些新设备适用于服务器和电信电源、工业电池充电器和电源、电动汽车车载充电器和DC-DC转换器等应用。

新型SiC fet通过开氏温度源连接，提高了开关速度，提高了栅极驱动返回性能;他们也提供行业领先的热功能．除了能够附着在传统的pcb和复杂的绝缘金属衬底(IMS)安排上，这些新设备可以展示出色的爬电率和间隙图分别为6.7mm和6.1mm。

新的650V d2ak - 7l SiC fet的价格(1000美元以上，FOB美国)从3.27美元(UF3C065080B7S)到7.54美元(UF3SC065030B7S)。对于1200V d2ak - 7l设备，UF3C120150B7S的价格为3.10美元，UF3SC120040B7S为10.91美元。

UF3SC120040B7S SiC fet的特点

• 开阻RDS(on): 35mΩ (typ)
• 工作温度:175°C(最大)
• 优秀的反向恢复:Qrr = 358nC
• 低体二极管变频器:1.5V
• 低栅电荷:QG = 43nC
• 阈值电压VG(th): 5V(典型值)允许0到15V驱动器

注意:更多技术信息可在UF3SC120040B7S数据表链接在本页面的底部和产品页面高性能碳化硅场效应晶体管．