HIP2211和HIP2210 - 48V应用的高频100V半桥MOSFET驱动程序
![HIP2211和HIP2210 MOSFET驱动程序来自Renesas](/sites/default/files/components/HIP2211-and-HIP2210-MOSFET-Drivers.jpg)
Renesas电子公司已引入HIP2211和HIP2210一对新的100V半桥MOSFET驱动程序,非常适合48V电信电源,D类音频放大器,太阳能逆变器和UPS逆变器。它们还可以用来为在锂离子电池供电的家庭和室外产品,水泵和冷却风扇中发现的苛刻的48V电动机驱动器供电。
在这两种设备中,HIP2211是下一代与Renesas受欢迎的升级的升级ISL2111桥梁驱动器,而HIP2210提供了三级PWM输入,以简化电源和电动机驱动器设计。这些新设备设计用于在困难的操作条件下可靠操作,高速,高压HS PIN可耐受-10V连续,弹跳至50V/ns。
HIP2210的可编程防震器防护和欠压保护有助于确保由于电源或其他外部故障条件而导致驱动的MOSFET不会损坏。HIP2210和HIP2211旨在补充高级DC/DC和无刷运动驱动系统中的Renesas微控制器。HIP2211和HIP2210现在可从Renesas的全球分销商那里获得,均价格为1.30美元,价格为1,000个单位。HIP2211以8铅SOIC和10铅4mm x 4mm TDFN包装提供。HIP2210以10线4mm x 4mm TDFN包装提供。
HIP2211和HIP2210的功能
- 115VDC引导电源最大电压(120V HS绝对最大电压)在半桥上支撑100V
- 功能强大的3A源,4A的4A水槽驱动程序,具有非常快的15NS典型传播延迟和2NS典型延迟匹配
- 宽VDD电压工作范围为6V至18V(绝对最大20V)
- HS PIN耐受性高达-10V和50V/NS的振荡速率
- 集成的0.5Ω典型引导二极管消除了外部离散二极管
- VDD和引导UVLO防止低门电压驱动到NFET
- 通过RDT PIN(仅HIP2210)可调节的死时间延迟可防止射击条件,可将单个电阻器从35N到350N调节