液冷三相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)，用于电子迁移和航空航天应用中的高效率和功率密度

CISSOID为其不断增长的三相碳化硅(SiC) MOSFET智能功率模块(IPM)产品平台添加了新的液冷模块为更低的人群量身定制的电动汽车开关损耗或更高的功率。该公司还推出了一个基于a的模块轻质AlSiC平板底板这满足了航空航天和专用工业应用对自然对流或强制冷却的需求。

这些新的基于pin鳍基板的液冷电源模块可以交付1200V阻塞电压为340A至550A的最大连续电流．与一个通电电阻范围从2.53m欧姆到4.19m欧姆根据额定电流，这些器件在600V/300A时的总开关能量低至7.48mJ (Eon)和7.39mJ (Eoff)。反向偏置安全操作区(RBSOA)允许峰值电流高达600A，直流母线电压高达880V。这使得这些电源模块对于800V电池应用非常安全。

新的风冷模块额定为a阻塞电压1200V和一个最大持续电流340A。与3.25mOhms of On电阻，在600V和300A时，风冷模块的开断开关能分别为8.42mJ和7.05mJ。AlSiC平板冷却电源模块具有良好的热稳定性，额定结温为175℃，环境温度为125℃。

新发布产品的部件编号为CXT-PLA3SA12340AA (1200V/340A/引脚翅片底板)，CXT-PLA3SA12550AA (1200V/550A/引脚翅片底板)和CMT-PLA3SB12340AA (1200V/340A/平板底板)。

三相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)的特性

• 电源器件连接温度:-40°C ~ +175°C
• 门驱动环境温度:-40°C ~ 125°C
• 漏源击穿电压:1200V
• 低通电阻:2.53mOhms至4.19mOhms。
• 最大持续电流:在Tf=25°C下340A至550A
• 热阻:0.15°C/W型。
• 开关能量@ 600V/300A: Eon=7.5mJ to 9mJ/Eoff=7mJ to 7.4mJ
• 开关频率:最大25KHz
• 隔离(底板-电源引脚):3600VAC @50Hz (1min)
• 共模瞬态免疫:>50kV/μs
• 低寄生电容(一-二次):约11pF每相
• 门驱动保护:低电压锁定(UVLO)，去饱和保护，软关机关闭(SSD)，负门驱动(-3V)，有源米勒夹紧(AMC)，门源短路保护

注意:更多的技术信息可以在CXT-PLA3SA12340A数据表链接在本页底部和产品页上三相SiC MOSFET智能电源模块(IPM)．