新型45W和150W MasterGaN器件，用于高效功率转换

意法半导体公司推出了新的45W和150W MasterGaN集成半桥驱动器，用于高效功率转换。新MasterGaN3和MasterGaN5集成的电源包为高压应用进行了优化，在高压和低压焊盘之间有2mm的爬电距离。这些设备最适合设计开关模式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正(PFC)和DC/DC转换器。此外，两种设备的输入兼容3.3V至15V的逻辑信号，简化了主机DSP、FPGA或微控制器与外部设备(如霍尔传感器)的连接。

MasterGaN3和MasterGaN5集成了两个650V功率晶体管，并优化了高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计的挑战。这些集成设备使电源比基于硅的设计小80%，而且非常耐用和可靠。它们还集成了保护功能，包括低侧和高侧欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器联锁、超温保护和关机引脚。

每个MasterGaN设备都支持一个专用的原型板，以帮助设计师启动新的电源项目。EVALMASTERGAN3和EVALMASTERGAN5板包含产生单端或互补驱动信号的电路。有一个可调死区时间发生器，以及连接用户应用一个单独的输入信号或PWM信号，添加一个外部bootstrap二极管以帮助电容负载，并插入一个低侧分流电阻的峰值电流模式拓扑。

特性

• 600V系统集成半桥门驱动器

• 反向电流能力

• 零反向恢复损失

• 低侧和高侧UVLO保护

• 内部自举二极管

• 联锁功能

• 精密内部计时匹配

• 3.3V到15V兼容输入，具有迟滞和下拉特性

• 超温保护

• 材料减损单

• 非常紧凑和简化的布局

应用程序

• 直流/直流转换器

• 开关电源

• 充电器和适配器

• 功率因素校正

可用性和价格

MasterGaN3和MasterGaN5设备目前已投入生产，定价分别为6.08美元和5.77美元，订单数量为1000件。