新的热插拔asfet增强SOA性能，最大限度地减少降额，提高当前共享

Nexperia发布了新的PSMN4R2-80YSE (80V, 4.2mΩ)和PSMN4R8-100YSE (100V, 4.8mΩ)热交换ASFETs增强SOA性能，针对5G电信系统和48v服务器环境中的软启动应用，以及需要电子保险丝和电池保护的工业设备。新的热插拔asfet使用最新的硅技术和铜夹封装结构的结合，显著加强安全操作区域和最小化PCB区域。此外，这些产品仅为5毫米x 6毫米x 1.1毫米，可分别减少80%和75%的PCB占地面积和器件高度。

这些坚固的asfet消除了Spirito效应，并在50 V时提高了166%的SOA。这些热插拔asfet封装在Power-SO8兼容的LFPAK56E中，封装的独特内部铜夹结构提高了热和电气性能，同时大大减少了占地面积。这些设备还具有最高175°C的结温，符合IPC9592电信和工业应用法规。

特性

• 完全优化的安全运行区域(SOA)，以实现优越的线性模式运行

• 低RDSon，低I2R传导损耗

• LFPAK56E包适用于需要最高性能和可靠性的应用程序，占地面积为30 mm2

应用程序

• 热交换

• 负荷开关

• 软启动

• E-fuse

• 基于48v背板/电源轨的通信系统