新的mics和离散晶体管提供5G、卫星通信和国防应用所需的性能水平
微芯片技术公司宣布扩大其氮化镓(GaN)射频(RF)电源设备组合新型mics和离散晶体管结合了高功率增加效率(PAE)和高线性度，在5G、电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统和测试设备等应用中提供了新的性能水平。此外，这些器件是使用GaN-on-silicon carbide技术制造的，能够提供高功率密度和产率的最佳组合，以及在255˚C结温下的高压运行和超过100万小时的寿命。
这些器件包括覆盖2 - 18GHz的GaN MMIC, 12 - 20GHz的3dB压缩点(P3dB) RF输出功率高达20W，效率高达25%，以及裸模和封装的用于S和x波段的GaN MMIC放大器，PAE高达60%。以及离散的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，覆盖DC至14 GHz, P3dB RF输出功率高达100W，最高效率为70%。
今天宣布的功率器件包括ICP0349PP7-1-300I和ICP1543-1-110I，以及其他Microchip射频产品，并已批量生产。
