TOLx家族发布了新的OptiMOS包，提高了TCoB的鲁棒性和优越的热性能
为了给电力系统设计者提供更多的选择，英飞凌科技推出了多种多样的设计方案在最小的空间内获得最大的性能．该公司推出了两种新的optimmos功率MOSFET包TOLx家庭在创新的to - less (TOLL)封装中。
TOLG (to - lead with Gullwing引线)和TOLT (to - lead top side cooling)设备提供低RDS(上)和一个高电流额定值超过300a在高功率密度设计中提高系统效率。在10x11毫米2与D相比，TOLG包提供了额外的灵活性，作为TOLL的电气性能2PAK五。TOLG封装在铝绝缘金属基板(Al-IMS)的设计中特别明显。
随着时间的推移，板上温度循环(TCoB)导致封装和PCB之间的焊点出现裂纹。灵活的鸥翼引线的TOGL包提供焊点坚固性好。这反过来又提高了在重复温度循环的应用中产品的可靠性。
TOLT封装由一个引线框架构成，翻转以定位顶部暴露的金属，它还在高电流载漏和源连接的每一侧包含多个鸥翼引线。与TOLL底侧冷却包相比，TOLT提高了RthJA,降低了20%，RthJC了50%。
TOLx包的特点
- 低RDS(上)
- 高额定电流
- 与D²PAK相比，更低的振铃和电压超调
- 降低传导损耗
- 高功率密度
- 系统效率
- 延长寿命
- 通过降低开关损耗和电磁干扰来提高效率
注意:更多的技术信息可以在TOLx Package MOSFET Datasheet和TOLx封装optimmos功率mosfet产品页面。
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