新型RF STPower LDMOS电源晶体管系列用于商业和工业应用
STMicroelectronics已经向Stpower系列添加了三种不同的产品系列LDMOS晶体管。新的STPower LDMOS IDEV，IDCH和IDDE系列针对各种商业和工业应用中的RF功率放大器（PAS）进行了优化。这些是28V / 32V常见源，N沟道增强模式，横向场效应，RF功率晶体管具有高效率和低热电阻。
IDCH器件提供8W到300W的输出功率，专为高达4GHz的应用而设计，包括2.45GHz工业，科学和医疗（ISM），无线基础设施，卫星通信和航空电子设备和雷达设备。LDMOS设备适用于所有类型的调制格式。
IDDE系列包含10W-700W设备，用于宽带商业、工业和科学应用，频率高达1.5GHz。该设备可以承受的负载驻波比为10:1，通过所有阶段。它们适用于所有典型的调制格式，并适用于大多数RF - PA操作，包括A类、AB类和c类。它们的高效率将传递所需输出功率所需的能量降至最低，从而降低运行成本，减少散热，从而简化热管理，实现更紧凑的系统。
IDE系列具有50V常见源，N沟道增强模式，横向现场效应，RF功率晶体管技术。随着从15W的输出功率高达2.2KW，IDEV产品组合专为ISM应用而设计，频率高达250MHz，包括驱动大功率二氧化碳激光器，等离子发电机，MRI系统，在88MHz-108MHz范围内广播FM-Radio发射器，和航空电子和雷达应用高达1.5GHz。它们适用于所有典型的调制格式以及A类AB和C类的PA操作。
此外，这些器件减少了高功率应用所需的RF功率晶体管的总数，例如广播发射器。功率效率大于82％，最大限度地减少了系统电源需求，并确保了简单的热管理可靠性。
