Onsemi推出新型1700V碳化硅MOSFET和肖特基二极管，用于能源基础设施和工业应用
Onsemi最近公布了其碳化硅(SiC)家族的名称为“elite ic”。在拉斯维加斯举行的消费电子展(CES)上，该公司将展示该家族的三名新成员，包括一台智能手机1700v精英MOSFET（NTH4L028N170M1),两个1700 V雪崩级精英肖特基二极管（NDSH25170A，NDSH10170A)．这些器件专为能源基础设施和工业驱动应用而设计，并展示了Onsemi在工业SiC解决方案领域的专业知识。
1700 V EliteSiC MOSFET能够提供更高的击穿电压(BV)解决方案，这是大功率工业应用所必需的。这两个雪崩级二极管允许在高压和高温下稳定运行，同时由于其SiC结构，也提供了高效率。这些新器件表现出卓越的性能和质量，并扩大了Onsemi elite系列解决方案的可用范围。
Onsemi的端到端碳化硅制造能力使公司能够满足工业能源基础设施和工业驱动提供商的需求。新的1700 V elite MOSFET在可再生能源应用中特别有用，在这些应用中，更高的电压变得越来越普遍。它的最大电压范围为-15 V/25 V，适用于快速切换应用，并提供更高的可靠性。该MOSFET在40安培的1200V测试条件下也实现了200 nC的市场领先的门电荷。
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