FGPA配置和引导代码存储的耐辐射和QML-V合格NOR闪存

Infineon Technologies AG日前发布了高密度、耐辐射(RadTol) NOR闪存产品，该产品符合MIL-PRF-38535的QML-V流程，并为FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用提供卓越的、低引脚数的单芯片解决方案。该器件的抗辐射能力可达30krad (Si)偏压和125krad (Si)无偏压。在125°C时，设备支持1000 Program/Erase cycles, 30年的数据保留;在85°C时，支持10k Program/Erase cycles, 250年的数据保留。

最新的空间级fpga完全支持256Mb和512Mb的RadTol NOR Flash非易失性存储器，并具有133 MHz的SDR接口速度。英飞凌利用65nm浮栅Flash工艺技术开发了RadTol双QSPI非易失性存储器。512 mb的设备包括两个独立的256 mb死适合并排在一个包装解决方案,为设计师提供了灵活性操作设备双重QSPI独立或单QSPI模式要么死,提供一个选项来使用第二个骰子作为备份解决方案。

特性

• 温度范围:-55℃~ 125℃

• 耐辐射高达30krad (Si)偏置和125krad (Si)无偏置

• 133mhz SDR接口速率

• 65nm浮栅闪光工艺

• 可在24x12毫米2 36铅陶瓷平板包装

• QML-V合格

应用程序

• FPGA的配置

• 图像存储

• 单片机的数据

• 启动代码存储

可用性

RadTol NOR Flash器件现在可在24x12毫米2 36铅陶瓷平板封装。