SIC118xKQ -具有主动箝位和<2uS短路关断时间的汽车专用SiC MOSFET驱动IC
电力整合已宣布其SIC118xKQ精心司机碳化硅(SiC) mosfet的高效率、单通道栅极驱动器认证AEC-Q100汽车使用。SIC1182KQ (1200V)和SIC1181KQ (750V) SCALE-iDriver器件可以配置以支持常用SiC mosfet的栅极驱动电压要求，并具有复杂的安全和保护功能。这些器件可用于驱动SiC mosfet汽车应用程序具有轨对轨输出、快速的栅极开关速度、支持正负极输出电压的单极供电电压、一体化的电源和电压管理、加强隔离。
SIC118xKQ SCALE-iDriver的特点
- ±8a峰值栅输出电流
- 集成的FluxLink™技术增强了隔离性能
- SiC MOSFET优化了先进的有源箝位
- 标准栅极发射极电压+15V
- 负电压范围从- 3v到-15V
- 超快的短路检测
- UVLO主侧和副侧
- 轨对轨稳定输出电压
- 二次侧单相供电电压
- 高达150khz的开关频率
- 传播延迟抖动±5ns
- 工作环境温度-40°C ~ +125°C
- 高共模瞬态和磁抗扰度
- 带有9.5 mm漏电和间隙的eSOP包，CTI 600
请注意:更多的技术信息可以在本页底部的数据表中找到SIC1182KQ (1200 v)和SIC1181KQ (750 v)产品页面。
SIC118xKQ SCALE-iDriver的关键安全特性包括漏源到源电压(VDS)监测，感觉读数，一次和二次欠压锁定(UVLO)，限流栅驱动器，和先进的主动箝位(AAC)，方便操作安全，故障下软关断条件。AAC和V的结合DS监控确保在短路条件下安全关闭小于2µs。栅极驱动控制和AAC特性允许栅极电阻最小化，这最终降低了开关损耗，并使逆变器效率最大化。
