UF3C / SC - 低RDS SiC FET，提高效率和较低损耗
USEDIC介绍了UF3C / UF3SC系列SIC FET，基于独特的级联配置设计，可提供更高的开关速度，更高的效率和更低的损耗。与此同时，它们还为大多数至247-3L IGBT，SI-MOSFET和SIC-MOSFET部件提供了一个“进入”替换解决方案。这有助于在不改变现有栅极电路的情况下进行系统升级，以实现更高的性能和效率。这可以减少开启损耗基于QRR减少50％。对于高电流使用，需要小型低成本的RC缓冲器，这也简化了EMI设计。
特点UF3C / UF3SC系列
- 650V和1200V.
- 低RDS（ON）从7MOHM到150MOHM
- 优异的体二极管性能（VF <2V）
- 驱动任何SI和/或SIC栅极驱动电压
- 集成的ESD和栅极保护
- 全套行业标准包 - 至220-3L，D2PAK-3L，至-247-3L＆-4L（Kelvin）
该UF3C / UF3SC FET系列具有近20个FET，每个FET可以从RDS（ON）值为7mohm至150mohm和iD.最大范围从31A到120A。有关更多信息UF3C / UF3SC系列那访问联合SIC官方网站上的产品页面。UF2SC065007K4S的数据表如下所示，以获得完整的技术规范。
