新型UF3C/UF3SC系列碳化硅fet具有低RDS 7/9 mΩ，以提高效率，降低损耗
联合碳化硅公司介绍a series of一系列，一系列UF3C / SC SiC场效应晶体管改进后提供更高的切换速度、更高的效率和更低的损耗低引流到源电阻7/9 mΩ。这些新的fet为大多数TO-247-3L IGBT、Si-MOSFET和Si-MOSFET部件提供了一个替代解决方案。这有助于设计者在不改变现有栅极驱动电路的情况下升级系统以获得更高的性能和效率。基于Qrr降低50%，可降低启动损耗。对于高电流应用，一个小，低成本的RC缓冲器是必需的，这也简化了EMI设计。
UF3C/SC SiC fet的特点
- 650 v和1200 v
- 低RDS(on)从7mohm到150mohm
- 极好的体二极管性能(Vf < 2V)
- 用任何Si和/或SiC栅极驱动电压驱动
- 集成ESD和栅极保护
- 全套行业标准封装- TO-220-3L, D2PAK-3L, DFN8X8, TO-247-3L和- 4l (Kelvin)
请注意:完整的技术细节请参阅UF3C065030B3数据表链接在本页底部。
有关UF3C/SC SiC fet的更多信息，可在公司网站上购买UF3C / SC SiC场效应晶体管请访问联合SiC官方网站。
部分数据表
