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电力电子设计中常用的常用mosfet
MOSFET是电力电子领域的重要器件之一，我们已经介绍了很多mosfet及其引脚图，数据表，特性以及如何在电路中使用它们。为您的项目选择MOSFET可能是一项艰巨而耗时的任务，因为您必须通过每个MOSFET的规格。这里我们决定进行合并流行的mosfet列表这可以帮助为您的应用选择正确的MOSFET．
所以，如果你在建造一些电力电子电路并考虑如何选择合适的MOSFET对于您的特定应用，这里是一个流行的通孔和表面安装mosfet的列表，您可以在您的本地或在线商店中找到。
BS170
的BS170是一种最常见的n通道增强模式MOSFET，被许多电子设计师和爱好者使用;它采用TO-92封装，在低电压低电流应用中表现最佳。
BS170 MOSFET的一些基本特性使其适用于某些应用，例如:
- 它具有2.1V的低阈值电压，这意味着它可以由3.3V的逻辑电平微控制器(如Arduino)驱动。
- 它具有22pF的低输入电容，这使得它适用于基本的高频开关驱动器。
- 2.5 Ω的低导通电阻提高了该MOSFET的应用效率，如大功率LED驱动器。
- 它具有7ns的快速开关速度，这意味着它可以用作SPI, I2C和UART的双向逻辑电平转换器。
- 它可以用作低噪声前置放大器，与电压放大器配置。
最重要参数:
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
60 |
直流 |
门−电压源 −连续 −不重复(tp≤50 s) |
vg VGSM |
±20 40± |
直流 Vpk |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 200 mAdc) |
RDS(上) |
1．8 |
Ω |
漏极电流(注) |
ID |
0．5 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
350 |
兆瓦 |
漏源击穿电压 (VGS = 0, ID = 100) |
V (BR) DSS |
90 |
直流 |
登机门总费用 (vds = 30 v, id = 0.5 a, VGS = 20) |
路上(Max) |
2.4 |
数控 |
门阀电压 (VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc) |
vg (Th) |
2．0 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
−55到 + 150 |
°C |
零件号:BS170
数据表的链接:BS170 MOSFET数据表链接
同类产品:BS170F
BS250
BS250是一个p通道增强模式MOSFET在to -92封装中，它被设计用于低电压和低电流应用。下面列出了一些BS250 MOSFET的基本特性这使得它适用于某些应用:
- 它具有-1.9V的低阈值电压，这意味着它可以由1.8V逻辑电平微控制器驱动。
- 由于它是一个p通道MOSFET，它可以用于高侧开关应用
- 由于低导通电阻，它可以驱动高达0.18 a的负载。
- 仅16ns的快速开关速度和仅15pF的低输入电容使其成为许多开关应用的合适选择。
- 它可以用作继电器，螺线管，灯，显示器，存储器，功率晶体管和电机的驱动器。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−酸ce电压 |
VDS公司 |
−45 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
25± |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = -10 Vdc,ID = -0.2 Adc) |
RDS(上) |
14 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
−0.18 2．2 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
0.83 |
W |
漏源击穿电压 (VGS = 0, ID = 21 mA) |
V (BR) DSS |
−45 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
1．8 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
−1 ~−3.5 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
−55到 + 150 |
°C |
零件号:BS250
数据表的链接:点击这里打开数据表
注意:这是一种在当地商店可以找到的常见产品，它的开关时间基本上与操作温度无关。
BSS138
的BSS138是最常见的n通道增强MOSFET，使用安森美半导体基于高电池密度和DMOS技术的专有技术生产，被许多电子生产公司、设计师和爱好者使用。它采用SOT-23封装，在低电压低电流应用中表现最佳。
一些基本的BSS138 MOSFET的特点使其适用于某些应用，如:
- 它具有1.5V的极低门限值电压，这意味着它可以由1.8V逻辑级微控制器驱动。
- 它具有27pF@1MHz的低输入电容，这使它成为基本高频开关驱动器的合适选择。
- 3.5Ω的低导通电阻和200mA的导通漏电流使其适用于LED，电机或继电器驱动器应用。
- 它具有20 nS的非常快的开关速度，这使它成为双向逻辑电平转换器的完美选择。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
50 |
直流 |
门−电压源 −连续 −不重复(tp≤50 s) |
vg VGSM |
±20 40± |
直流 Vpk |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 200 mAdc) |
RDS(上) |
3．5 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID |
口径。 多多 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
360 |
兆瓦 |
漏源击穿电压 (VGS = 0, ID = 100) |
V (BR) DSS |
50 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
2.4 |
数控 |
门阀电压 (VDS = VGS, ID = 1.0 mAdc) |
vg (Th) |
1．5 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
−55到 + 150 |
°C |
零件号:BSS138
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:BSS123，BSS126H6327XTSA2
注意:这是一种常见的产品，可以在当地商店买到。此外，请记住正确设计PCB，因为不当的PCB设计可能会导致热问题。
IRF540
的IRF540是另一个最常见的n通道增强MOSFET它被许多电子设计师和爱好者使用。它采用TO-220AB封装，因此是所有商业工业应用的首选，在低压大电流应用中表现最佳。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在行业中非常受欢迎。下面列出了一些基本特性和应用程序
- 它具有2.1V的低阈值电压，这意味着它可以由3.3V的逻辑电平微控制器(如Arduino或PIC微控制器)驱动。
- 它有一个非常低的导通电阻只有77 mΩ，这使得它适合驾驶重负荷。
- 由于开关速度快，输入电容低，它被应用于许多开关应用中。
- 低导通电阻和低输入门电容使其适合于并行操作。
- 动态dv/dt可防止MOSFET的误开关、振荡或永久损坏。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
One hundred. |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 17 Adc) |
RDS(上) |
0.077 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
28 110 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = 250 μa) |
V (BR) DSS |
One hundred. |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
72 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = 250 μa) |
vg (Th) |
4 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 175 |
°C |
零件号:IRF540NPBF
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRF520，IRF530，IRF640，IRF840
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件商店找到。
IRF9540
IRF9540是最常见的p通道增强模式硅栅MOSFET，被许多电子设计师和爱好者使用。它采用TO-220封装，因此它是各种商业-工业应用的完美选择，在低压大电流应用中表现最佳。
IRF9540 MOSFET的一些基本特性和应用如下:
- 动态dv/dt可防止误开关、振荡或对MOSFET的永久性损坏。
- 它的导通电阻很低，只有0.2Ω这提高了系统的整体效率。
- 由于它是一个p通道MOSFET，它可以用于高侧开关应用
- 这种MOSFET是逆变器应用的完美选择。
- 由于其工作温度宽，成本低，被整个行业广泛接受。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
-100年 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = -10 Vdc,ID = -11 Adc) |
RDS(上) |
.20 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
- 19 - 72 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
-100年 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
61 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
-4.0 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 175 |
°C |
零件号:IRF9540
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRF9530NPBF，IRF9630PBF
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件商店找到。
IRFZ44NPbF
IRFZ44NPbF是另一种最常见的n通道增强模式MOSFET，采用国际整流器先进HEXFET®技术设计，由于其极低的导通电阻，被许多电子设计师和爱好者使用。它采用TO-220封装，是所有商业-工业应用的普遍首选，因此它在低电压低电流应用中表现最佳。
一些IRFZ44NPbF MOSFET的基本特性使其适用于下列特定应用:
- 动态dv/dt可防止误开关、振荡或对MOSFET的永久性损坏。
- 它有一个非常低的导通电阻17.5mΩ，最大限度地提高了系统的效率。
- 通用应用，如电机驱动器，逆变器，开关电源，DC-DC转换器可以由这种MOSFET。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
60 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = -10 Vdc,ID = -11 Adc) |
RDS(上) |
0.028 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
50 200 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
67 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
4.0 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 175 |
°C |
零件号:IRFZ44NPbF
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRFZ20，IRFZ24NPBF，IRFZ34PBF，IRFZ44NPBF
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件商店找到。另外，请注意其连续漏电流(ID)受封装的限制。
IRLZ44N
的IRLZ44N是另一个最常见的n通道增强模式MOSFET采用国际第五代先进HEXFET技术设计。它被许多电子设计师使用，因为它采用TO-220封装，这是所有商业工业应用的普遍首选，它在低电压低电流应用中表现最好。
一些IRLZ44N MOSFET的基本特性使其适用于下列特定应用:
- 它是一个逻辑级MOSFET，这意味着它可以由许多不同类型的微控制器驱动。
- 这种MOSFET的低导通电阻使其适用于许多大电流驱动应用。
- 由于只有3.3nF的低输入电容，它支持许多大电流MOSFET栅极驱动器ic。
- 动态dv/dt可防止MOSFET的误开关、振荡或永久损坏。
- 这种MOSFET可用于许多通用应用，如h桥电机驱动器，功率MOSFET门驱动器等。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
60 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±10 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = -10 Vdc,ID = -11 Adc) |
RDS(上) |
0.028 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
50 200 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
150 |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
66 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2．0 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 175 |
°C |
零件号:IRLZ44N
数据表的链接:点击这里打开数据表
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件商店找到。它是电流受限于包装，所以在选择包装时要考虑数据表。
SSM6N7002KFU,低频
SSM6N7002KFU, LF是一个不常见的n通道增强MOSFET并且采用US6封装，因此可以在一些非常紧凑的产品和应用中使用。这种MOSFET的成本非常低，使其成为许多人的合适选择应用程序下面列出了其中一些:
- 它具有2.1V的低阈值电压，这意味着它可以由微控制器或MOSFET门驱动IC驱动。
- 它在单个US6封装中包含两个mosfet，因此可以配置为半桥驱动器。
- 只有1.2Ω的低导通电阻使其适用于功率MOSFET栅极驱动器
- DS6封装中的双mosfet也可以配置为恒流led驱动器。
- 该MOSFET符合AEC-Q101标准，这意味着该MOSFET是汽车级应用的完美选择。
- 体积小，功率相对较高，设计稳健，适合作为无刷直流电机驱动器．
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
60 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 100 mAdc) |
RDS(上) |
1．5 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
300 1200 |
mAdc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
500 |
兆瓦 |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
0.6 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2.1 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 150 |
°C |
零件号:SSM6N7002KFU,低频
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:Ssm6k18tu (te85l, f)，SSM2135SZ
注意:在重载下持续使用SSM6N7002KFU、LF MOSFET可能会导致该产品的可靠性显著降低，即使工作条件在额定规格范围内。在商店里不容易买到，但在网上可以买到。
RQ3E130BNTB
RQ3E130BNTB是另一种独特的n通道增强MOSFET，它采用HSMT8封装，因此具有相当好的热性能，在低压大电流应用中表现最佳。只有6mΩ的低导通电阻是该MOSFET的另一个独特特征，HSMT8的极低封装成本使其在设计和生产方面非常具有成本效益。
一些基本的RQ3E130BNTB的特点及应用列出如下:
- 只有6mΩ的超低导通电阻和小尺寸使其成为高功率紧凑电子设计的完美选择。
- 高功率HSMT8封装使得PCB内的热设计非常容易
- 应用包括小型电源，DC-DC转换器，电力输送系统，电机驱动器等。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
30. |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = -10 Vdc,ID = -11 Adc) |
RDS(上) |
0.006 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
39 52 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
16 |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
30. |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
36 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2.5 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 150 |
°C |
零件号:RQ3E130BNTB
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:RQ3E160ADTB，RQ3E100BNTB，RQ3E120ATTB，RQ3E070BNTB
请注意:在商店里也不容易买到，但可以在网上买到。
DMP210DUFB4-7
DMP210DUFB4-7是另一个独特的p通道增强MOSFET它的包装是X2-DFN1006-3，尺寸为1.1x0.7x0.4毫米，这意味着它实际上很小。它的导通电阻仅为5Ω，是寻找小信号mosfet的设计工程师的绝佳选择。
DMP210DUFB4-7 MOSFET具有许多独特的特性，如下所示:
- p通道MOSFET在高侧开关应用中非常方便。
- 5Ω的低导通电阻和200mA的导通漏电流使其适用于LED，电机或继电器驱动器应用。
- 极低的门阈值电压只有-1.0V，确保其由微控制器驱动的能力。
- 它具有13.7pF的低输入电容，这使它成为一个合适的选择作为基本的高频开关驱动器。
- 仅7.7nS的快速开关速度确保了准确的开关性能
- 栅极端的ESD保护二极管极大地提高了ESD性能。
- 该MOSFET符合AEC-Q101标准，这意味着该MOSFET是汽车级应用的完美选择。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
-20年 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±10 |
直流 |
排水−源导通电阻 VGS = -1.5V, ID = -10mA |
RDS(上) |
15 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID IDM |
-200年 -600年 |
妈 |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
350 |
兆瓦 |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = - 250 μa) |
V (BR) DSS |
-20年 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
30. |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
-1.0 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 150 |
°C |
零件号:DMP210DUFB4-7
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:DMP2170U-7，DMP2104LP-7
IRFP150NPBF
的IRFP150NPBF是另一种最常见的n通道增强模式MOSFET采用国际第五代先进HEXFET技术设计，实现极低的导通电阻。它被许多电子设计师使用，因为它是一个TO-247封装，它在低压大电流的商业工业应用中表现最好。
一些IRFP150NPBF MOSFET的基本特性列出如下:
- 这种MOSFET的导通电阻非常低，仅为36 mΩ，输入电容非常低，为2.8nF，因此可用于高速开关稳压器。
- 动态dv/dt可防止MOSFET的误开关、振荡或永久损坏。
- 这种MOSFET适用于一些工业应用，包括大功率SMPS电路，恒流负载等。
- 孤立的中央安装孔是一个奖金。
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
One hundred. |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 100 mAdc) |
RDS(上) |
0.055 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
41 160 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
230 |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = 250 μa) |
V (BR) DSS |
One hundred. |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
140 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
4.0 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
- 55至 + 175 |
°C |
零件号:IRFP150
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:IRFP140NPBF，IRFP2907PBF，IRFP250MPBF，IRFP350PBF
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件商店找到。
SiHG47N60E
的SiHG47N60E是另一种最常见的n通道增强MOSFET它是由Vishay Siliconix设计的。它采用TO-247AC封装，因此是所有商业-工业高压大电流应用的首选。TO-247AC封装的低热阻和低封装成本使其在行业中非常受欢迎。
一些基本的SiHG47N60E的特点及应用列出如下:
- 它对源击穿电压的漏极为650V，恒载电流为32A，这意味着它用于非常高功率的工业应用。
- 9.62nF的低输入电容使其成为一个完美的高压斩波驱动器。
- 虽然它是一个非常高功率的MOSFET，但它有一个非常低的门电荷只有220 nC，这意味着它可以由一个非常便宜的MOSFET门驱动器IC驱动。
- 雪崩能量等级(UIS)使其与许多应用程序兼容。
- 一些应用程序包括
- 开关电源(SMPS)，
- 功率因数校正电源
- 荧光灯镇流器
- 高强度放电灯
- 焊接
- 感应加热
- 电池充电器
- 太阳能(光伏逆变器)
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−电压源 |
VDS公司 |
600 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±30 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 24 Adc) |
RDS(上) |
53 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
47 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
357 |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = 250 μa) |
V (BR) DSS |
600 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
220 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
4 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
-55年到 + 150 |
°C |
零件号:SiHG47N60E
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:SIHG47N60E-GE3
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件商店找到。
STB55NF06FP
STB55NF06FP是另一种最常见的n通道增强型MOSFET意法半导体采用其专有的strifet工艺设计。它采用TO-220FP封装，可在低电压大电流的商业工业应用中表现最佳，低热阻。TO-220FP的低包装成本使其在业内非常受欢迎。
一些基本的STB55NF06FP的特点及应用都列在下面
- 1300pF的低输入电容使其适用于许多高速开关应用。
- 7v /ns dv/dt可防止MOSFET的误开关、振荡或永久损坏。
- 这种MOSFET的栅极电荷非常低，只有60 nC，这意味着在开关应用中。它可以由一个非常便宜的MOSFET栅极驱动器IC驱动。
- 一些应用程序包括
- 开关式稳压器
- 直流-直流转换器
- 恒流负载
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−酸ce电压 |
VDS公司 |
60 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 27.5 Adc) |
RDS(上) |
0.015 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
50 200 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
30. |
W |
漏源击穿电压 (vgs = 0, id = 250 μa) |
V (BR) DSS |
60 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
60 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2 - 4 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
-55年到 + 150 |
°C |
零件号:STB55NF06
数据表的链接:点击这里打开数据表
同类产品:SiHG47N60E
注意:这是一种常见的产品，可以在当地的电子零件商店找到。
IPB035N08N3 G
ipb035n08n3g是另一个独特的n通道增强MOSFET它采用PG-TO263-3封装，因此具有相当好的热性能，在低压大电流应用中表现最佳。它只有3.5mΩ的极低导通电阻，这是该MOSFET的另一个独特之处，PG-TO263-3的极低封装成本使其成为设计和生产目的的非常经济高效的解决方案。
一些基本的ipb035n08n3g的特点及应用列出如下:
- 只有3.5mΩ的超低导通电阻和小尺寸使其成为高功率密集电子设计的完美选择。
- 由于低栅电荷和低输入电容，非常适合高频开关应用。
- 3.5mΩ产品(FOM)的低栅极电荷仅30 nC和低导通电阻。
- 雪崩能量等级(UIS)使其与许多应用程序兼容。
- 一些应用程序包括
- 开关电源(SMPS)，
- 直流-直流转换器
- 电源传输系统在主板
- 恒流负载
最重要的参数
评级 |
象征 |
价值 |
单位 |
排水−酸ce电压 |
VDS公司 |
80 |
直流 |
门−电压源 −连续 |
vg |
±20 |
直流 |
排水−源导通电阻 (VGS = 10 Vdc,ID = 100 Adc) |
RDS(上) |
0.0031 |
Ω |
漏极电流-连续 ——脉冲 |
ID 国内流离失所者 |
One hundred. 400 |
Adc |
设备总耗散@ TA = 25°C |
PD |
214 |
W |
漏源击穿电压 (VGS = 0, ID = 21 mA) |
V (BR) DSS |
80 |
直流 |
登机门总费用 |
路上(Max)。 |
117 |
数控 |
门阀电压 (vds = vgs, id = - 250 μa) |
vg (Th) |
2 - 3.5 |
直流 |
操作和存储结温度范围 |
TJ, 测试 |
-55年到 + 175 |
°C |
特点:
- 理想的高频开关和同步。矩形。
- 优化的DC/DC变换器技术
- 优秀的门电荷x R DS(on)产品(FOM)
- 极低导阻RDS(on)
- n通道，正常电平
- 100%雪崩测试
- 符合JEDEC1)的目标应用
- 符合IEC61249-2-21无卤素
应用程序:太阳能、电信、电源分配系统，如主板
零件号:IPB035N08N3 G
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同类产品:IPB048N15N5ATMA1，IPB025N10N3GATMA1，IPB014N06NATMA1，IPB011N04NGATMA1
注意:在商店里也不容易买到，但可以在网上买到。
