G3VM T型模块：具有极低泄漏电流的新型高压大电流T型配置MOSFET继电器模块
欧姆龙电子元件公司发布了其创新的t配置MOSFET继电器模块的新高压和大电流版本。新的欧姆龙G3VM t型模组
场效应晶体管
IR2153自振荡半桥MOSFET驱动器
IR2153D是流行的IR2155和IR2151门驱动ic的改进版本，并集成了带有前端振荡器的高压半桥门驱动，类似于行业标准CMOS 555定时器。
n沟道功率MOSFET
P55NF06是一种n沟道MOSFET，高漏极电流为50A，低Rds值为18 mΩ。它也有一个20V的VGS，在那里MOSFET将开始导电。因此，它通常用于驱动应用程序。
IRF530 n沟道MOSFET
IRF530是一款n沟道MOSFET，专为高速和大功率应用而设计。它能在100v电压下维持14a的连续电流。在脉冲模式下，它可以驱动高达56 a的负载。
IRF9540 p沟道MOSFET
IRF9540是一种p沟道MOSFET，可以驱动最大负载电流高达-19A和电压高达-100V。在脉冲模式下，它可以承受高达-72A的负载。IRF9540具有低通态电阻和快速切换的特点。
新组件介绍上周- 8月30日
8月底是非常有趣的一周，许多令人兴奋的组件被用于各种汽车、工业和太空应用。
IRF510 n沟道功率MOSFET
IRF510是第三代功率MOSFET，具有快速开关和低通态电阻的最佳组合。这种组件的成本较低。
IRF630 n沟道功率MOSFET
IRF630是第三代功率MOSFET，专门为需要高速开关的应用而设计。该元件具有低导通电阻、高性价比和坚固耐用的设计。
IRF1405 n沟道功率MOSFET
IRF1405是一种TO-220 N沟道MOSFET，具有快速开关速度和改进的重复雪崩额定值等先进特性。
具有增强SOA性能的新型热插拔ASFET可最大限度地降低降额并改善电流共享
Nexperia发布了新的PSMN4R2-80YSE (80V, 4.2mΩ)和PSMN4R8-100YSE (100V, 4.8mΩ)
脉冲电子高电流SMT共模扼流圈提供电乐鱼平台战略合作大巴黎01流高达32a。
UNO-220-P4N2AE工业树莓Pi 4 HAT网关套件具有用于物联网应用的PoE功能
ZBM20提供了380毫秒额外的等待时间高达448 W
C&K提供其KSC系列触觉开关，设计用于承受密集使用
Bourns的CVQ系列压敏电阻器为电信和交流电力网络提供更强的保护
Switchcraft的BKZ系列直流电源插座具有容易扭锁功能。
英飞凌高性能OptiMOS™TOLT功率MOSFET包
TDK的电流补偿双环铁芯扼流圈抑制共模干扰
