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MOSFET具有低抗性

600V超级交界器MOSFET
600V超级交界器MOSFET

新的600V超级枢纽机MOSFET,电阻较低,设计可显着降低家用电器和工业设备的功耗

Rohm半导体已在其600V超级交界处的Prestomos系列中添加了乐鱼体育是不是真的七个新产品,它们在阻力和最快的反向恢复方面脱颖
600V EF系列快速身体二极管MOSFET
600V EF系列快速身体二极管MOSFET

SIHH070N60EF -600V EF快速身体二极管MOSFET,电源较低,电源转换应用效率高

来自Vishay Intertechnology的SIHH070N60EF是最新的600V EF快速身体二极管MOSFET系列,可提供低抗性
SISS05DN MOSFET
SISS05DN MOSFET

SISS05DN - 紧凑型P通道MOSFET具有较低的抗性,可提高便携式电子功能密度

Vishay Intertechnology引入了SISS05DN,这是一种30V P通道沟槽FET Gen IV Power MOSFET,可提供行业低阻抗。
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