FQP30N60L n通道功率场效应晶体管
FQP30N60L是一种n通道功率MOSFET，具有中等的电流承载能力和高漏源击穿电压。
N沟道MOSFET
专为电动汽车应用和电源管理设计的具有高转换效率的n通道增强模式TOLL mosfet
二极管公司推出了一系列汽车mosfet，包括100v额定的DMTH10H1M7STLWQ和
IRLZ34N n通道功率场效应晶体管
n通道高功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)用于从微控制器驱动更高的电压和电流。
新型MDmesh K6 800V功率mosfet最大限度地减少了LED驱动器和HID灯的系统功耗
意法半导体公司推出了新的超级结800V STPOWER MDmesh K6系列，增强了几个关键参数
IRFP460 n通道功率场效应晶体管
IRFP460是Vishay公司的n通道功率MOSFET，旨在提供低通阻和快速开关的最佳组合。这是一个带有漏源击穿500伏的高压设备，在TO-247包中。
n通道功率场效应晶体管
P55NF06是一个n通道MOSFET，高漏极电流为50A，低Rds值为18 mΩ。它也有一个20V的VGS, MOSFET将开始导电。因此，它通常用于驱动应用程序。
IRF530 n沟道MOSFET
IRF530是一种为高速和高功率应用而设计的n通道MOSFET。它可以在100v电压下维持14a的连续电流。在脉冲模式下，它可以驱动高达56 a的负载。
IRF630 n通道功率MOSFET
IRF630是专为需要高速开关的应用而设计的第三代功率MOSFET。该组件是低通态电阻、成本效益和坚固的设计的一个伟大的组合。
IRF1405 n通道功率场效应晶体管
IRF1405是A到220 N沟道MOSFET，具有快速切换速度等先进的功能，并改善了重复的雪崩评级。
30 V n通道sis52dn MOSFET为隔离和非隔离拓扑提供高功率密度和效率
Vishay Intertechnology发布了一种新的30 V n通道MOSFET, SISS52DN，能够为隔离和非隔离拓扑提供高功率密度和效率。
Laird Connectivity的Gar和Barracuda产品提供可靠性、耐久性和性能
B5L ToF(飞行时间)传感器利用光的飞行时间来测量到物体的距离。
3M的接口垫采用了一层薄而牢固的丙烯酸层，便于操作
Littelfuse的电池管理系统保险丝具有宽的工作温度范围
WR-FFC系列预折扁柔性电缆结构紧凑、轻薄，节省空间
Murata的小型传感器是理想的人，物体，手势检测和距离测量
TDK提供非常小的TVS二极管，用于高效ESD保护
Amphenol Advanced Sensors公司的红外传感器用于非接触式表面温度测量
