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功率场效应晶体管

80V功率MOSFET与屏蔽门技术
80V功率MOSFET与屏蔽门技术

新的80V功率MOSFET与屏蔽门技术优化的更高的开关频率在电信和服务器电源

Alpha and Omega Semiconductor Limited宣布发布80V功率MOSFET,该MOSFET采用专利屏蔽门技术,用于电信和服务器电源的更高开关频率。
FQP30N60L MOSFET
FQP30N60L n通道功率场效应晶体管

FQP30N60L n通道功率场效应晶体管

FQP30N60L是一种n通道功率MOSFET,具有中等的电流承载能力和高漏源击穿电压。
n通道增强模式TOLL MOSFET
n通道增强模式TOLL MOSFET

专为电动汽车应用和电源管理设计的具有高转换效率的n通道增强模式TOLL mosfet

二极管公司推出了一系列汽车mosfet,包括100v额定的DMTH10H1M7STLWQ和
IRLZ34N MOSFET
IRLZ34N MOSFET

IRLZ34N n通道功率场效应晶体管

n通道高功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)用于从微控制器驱动更高的电压和电流。
40V/60V双功率场效应晶体管
40V/60V双功率场效应晶体管

新型40V/60V双功率mosfet低ON电阻工厂自动化设备和工业应用

ROHM Semiconductor推出了其第6代Nch+Pch mosfet,提供24V输入所需的±40V/±60V承受电压,是基站(冷却风扇)和工业应用如工厂自动化设备的理想驱动电机。
MDmesh K6 800V功率场效应晶体管
MDmesh K6 800V功率场效应晶体管

新型MDmesh K6 800V功率mosfet最大限度地减少了LED驱动器和HID灯的系统功耗

意法半导体公司推出了新的超级结800V STPOWER MDmesh K6系列,增强了几个关键参数
IRFP460 MOSFET
IRFP460 MOSFET

IRFP460 n通道功率场效应晶体管

IRFP460是Vishay公司的n通道功率MOSFET,旨在提供低通阻和快速开关的最佳组合。这是一个带有漏源击穿500伏的高压设备,在TO-247包中。
P55NF06 MOSFET
N通道功率场效应晶体管

n通道功率场效应晶体管

P55NF06是一个n通道MOSFET,高漏极电流为50A,低Rds值为18 mΩ。它也有一个20V的VGS, MOSFET将开始导电。因此,它通常用于驱动应用程序。
4代SiC fet
4代SiC fet

新的4代SiC fet提供了电路的稳健性,并使设计的灵活性达到了新的水平

UnitedSiC公司近日发布了一款新型6mohm、750V的第四代SiC fet器件,该器件可提供强大的短路功能,其RDS(on)值低于最近的SiC MOSFET竞争对手的一半。
IRF510 MOSFET
IRF510 MOSFET

IRF510 n通道功率MOSFET

IRF510是第三代功率MOSFET,具有快速开关和低通态电阻的最佳组合。该组件的价格较低。

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