用于电动汽车基础设施快速充电和工业应用的最新一代碳化硅动力装置
意法半导体公司推出了其第三代STPOWER碳化硅(SiC) mosfet，利用了新的第三代
SiC MOSFET
电隔离的4A SiC门驱动器增强了能源敏感电力系统的鲁棒性和可靠性
意法半导体公司推出了一款单通道门驱动器STGAP2SiCSN，采用节省空间的窄体SO-8封装，是opt
基于增强开关技术的硅碳化物mosfet敏捷开关数字门驱动
Microchip Technology Inc.宣布了一款新的1200V可生产数字门驱动器，以补充其广泛的碳化硅MOSFET离散和模块产品组合。
新4代SiC fet提供了电路的健壮性，并使设计灵活性达到新的水平
UnitedSiC宣布了新的6mohm, 750V Gen 4 SiC fet，提供了健壮的短路，并具有RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争对手的一半。
RGWxx65C混合igbt系列内置SiC二极管，用于汽车充电器和UPS
ROHM半导体公司发布了RGWxx65C系列(RGW60TS65CHR，
紧凑型BM2SC12xFP2-LBZ电源集成电路，内置1700V SiC MOSFET，减少组件数量和上市时间
为了在单一表面安装的TO263 7L封装中实现更高的效率和更大的输出功率，ROHM发布了集成1700V SiC MOSFET的BM2SC12xFP2-LBZ功率集成电路。
半桥2-PACK 1200V SiC mosfet用于电动汽车充电站的可靠和稳健运行
ON半导体公司推出了1200V全碳化硅(SiC) MOSFET 2-PACK模块对(NXH010P120MNF1和NXH006P120MNF2)，具有优越的开关性能和增强的热性能，为电动汽车(EV)市场提供可靠性和鲁棒性。
液冷三相SiC MOSFET智能功率模块(IPM)，用于电子迁移和航空航天应用中的高效率和功率密度
CISSOID在其不断增长的三相碳化硅(SiC) MOSFET智能功率模块(IPM)产品平台上添加了新的液冷模块，为电子迁移量身定制了更低的开关损耗或更高的功率。
STGAPSiCS:双输入引脚的电隔离门驱动器，用于安全控制SiC mosfet
意法半导体推出了STGAPSiCS, 4A电隔离栅驱动器，用于安全控制碳化硅(SiC) mosfet，并从高达1200V的高压导轨工作。
AOM033V120X2Q:汽车级1200V/33mΩ αSiC mosfet，用于电动汽车的优越性能和效率
阿尔法和欧米茄半导体有限公司合作推出AOM033V120X2Q, AEC-Q101合格1200V/33mΩ
Laird Connectivity的Gar和Barracuda产品提供可靠性、耐用性和性能
B5L ToF(飞行时间)传感器利用光的飞行时间来测量到物体的距离。
3M的界面垫采用了薄而坚固的丙烯酸层，便于操作
Littelfuse的电池管理系统熔断器具有广泛的工作温度范围
WR-FFC系列预折叠扁软电缆结构紧凑、薄、轻，节省空间
村田的小传感器是理想的人体，物体，手势检测和距离测量
TDK提供非常小的电视二极管，用于高效的ESD保护
Amphenol Advanced Sensors的红外传感器用于非接触式表面温度测量
