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电信应用

RCC1206 e3厚膜片式电阻器
RCC1206 e3厚膜片式电阻器

厚膜片式电阻器具有更高的额定功率,可在汽车和工业应用中节省电路板空间

Vishay Intertechnology,Inc.增强了Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式电阻器,其外壳尺寸为1206,额定功率更高,为0.5W。
第4代SiC场效应晶体管
第4代SiC场效应晶体管

新的第4代SiC FET提供了电路稳健性,并实现了更高水平的设计灵活性

UnitedSiC已宣布推出新的6欧姆、750V第4代SiC场效应晶体管,该器件具有强大的短路能力,其RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争对手的一半。
AOZ97774QE数字多相控制器
AOZ97774QE数字多相控制器

用于电信和通用应用的带引脚捆扎配置的数字多相控制器

Alpha和Omega Semiconductor推出了新的AOS数字控制器产品组合“AOZ97774QE”,为5G无线网络的所有主要子系统(包括CU、DU和RU)提供从12V电源轨到负载点电压的DC/DC电源转换
SRP6530A屏蔽功率电感器系列
SRP6530A屏蔽功率电感器系列

用于电磁干扰过滤和电源管理解决方案的新型SRP6530A屏蔽电源电感系列

伯恩斯公司发布了新型SRP6530A屏蔽功率电感器系列,用于要求更高可靠性的消费、工业和电信电子应用中的电磁干扰(EMI)滤波和电源管理解决方案。
热插拔ASFET
热插拔ASFET

具有增强SOA性能的新型热插拔ASFET可最大限度地降低降额并改善电流共享

Nexperia已经发布了新的PSMN4R2-80YSE(80V,4.2mΩ) 和PSMN4R8-100YSE(100V,4.8mΩ)
GS-EVB-LLC-3KW-GS谐振变换器
GS-EVB-LLC-3KW-GS谐振变换器

用于数据中心、电信和工业SMPS应用的基于GaN的3KW全桥LLC谐振变换器参考设计

GaN Systems为高密度、高效率GaN基3kW LLC谐振变换器(GS-EVB-LLC-3kW-GS)引入了一种新的参考设计。
CoolGaN 600V e型HEMT
CoolGaN 600V e型HEMT

CoolGaN 600V e型HEMT在电信电源应用中具有更好的效率和可靠性

英飞凌科技为CoolGaN提供了为电信电源系统提供最高效率和可靠性的服务。可在DFN8x8封装中获得,德尔塔DPR中的CoolGan 600V e型HEMT
PKU4913D PKU-D模拟DC/DC转换器
PKU4913D PKU-D模拟DC/DC转换器

模拟DC/DC转换器在电信应用中具有优异的性价比

PKU4913D,新的PKU-D模拟DC/DC转换器,采用Flex Power模块,采用第十六块砖格式,以可承受的成本提供卓越的电气和热性能。Th
IHLP1212xx51–用于计算机和电信应用的高工作温度紧凑型电感器
IHLP1212xx51–用于计算机和电信应用的高工作温度紧凑型电感器

IHLP1212xx51–用于计算机和电信应用的高工作温度紧凑型电感器

Vishay Intertechnology推出了三种新型IHLP低剖面大电流电感器,其工作温度高达+155°C。
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