2N3053通用NPN晶体管
这2N3053是一个硅NPN晶体管到39金属可以包装。这种情况主要用于放大器和交换应用。该器件具有高击穿电压，低漏电流，低容量，以及在极宽的电流范围内有用的β。
2N3053晶体管引脚配置
PIN码 |
PIN名称 |
描述 |
1 |
发射器 |
从发射器发出的电子进入第一个PN结 |
2 |
根据 |
控制晶体管的偏置 |
3. |
集电极 |
从收集器收集的发射器发出的电子 |
2N3053晶体管的基本概述和功能
- 双极NPN晶体管
- 直流电流增益（HFE）最大50个
- 连续收集器电流（IC）为700mA
- 发射极基电压（VBE）是5V
- 基本电流（IB）最大为15mA
- 最大收集器基电压| VCB |：80 V
- 收集器耗散：5 W
- 过渡频率：> 100 MHz
- 操作和存储结温度范围-65至+200°C
- 收集器电容<15pf
- 输入电容<80PF
- 可提供至39金属罐装
笔记：完整的技术细节可以在其中找到2N3053数据表在本页结束时给出。
2n3053等效晶体管
BC108.那SL100.那2N2219那2N5210,2N5321，BC140，BC141，BC440，BC441
晶体管的基本工作
2N3053晶体管是通用N-P-N晶体管，结晶体管是两层n型材料或p型材料之间的夹层结构，取决于结构晶体管分为两类NPN晶体管和PNP晶体管，如下所示。晶体管由硅或锗组成，根据应用，申请人必须选择合适的应用。
2N3053晶体管的一般描述
2N3053是A.NPN晶体管因此，当没有电源应用于基础时，收集器和发射器将留下打开（反向偏见）。直到正电压施加到晶体管的底座，当存在正电压时，少量电流开始从基部流到发射极，并且晶体管达到其ON状态。该晶体管的最大增益为50，其确定设备的放大因子。对于该设备，最大基本电流限制为15mA，超过该设备，它可能会损坏设备。该设备的集电极发射极电流超过700mA可能会损坏设备。这是5W额定晶体管，可用于许多不同的应用。
当该晶体管处于偏置条件时，它可以允许在CE（集电极发射器）结时具有5W功率容量的最大电流为5W，这种状态称为晶体管饱和状态，并驱动消耗更多电流超过700mA的负载可能会损坏设备。正如您所知，晶体管是一个目前的受控设备因此，当缩小基电流时，晶体管将迁移到其关闭状态，在此阶段晶体管在其上工作截止地区因此，没有电流流过基础发射器结。
如何使用2n3053晶体管
晶体管是电流控制的装置，这意味着它们可以通过提供所需的底电流来打开或关闭，对于2N3053晶体管，它是15mA的2N3053晶体管。2n3053是NPN晶体管，其意味着当没有电流施加到其基座时，它将留下打开，但是当我们施加施加基极电压时，少量基电流流过晶体管，并且晶体管接通。下面的模拟电路显示了当施加到基座时施加基站电流时的晶体管的行为方式。
当我们通过向晶体管的底座供应所需电流来打开晶体管时，除非晶体管底座的电压达到零。晶体管的基极不能浮动，否则可能是错误的触发晶体管，其可能导致电路中的问题。要解决此问题，我们需要添加下拉电阻。例如，使用10K电阻器用于拉下晶体管的基座。
应用程序
BC108晶体管是一个非常通用的装置，其高频范围和大带宽使其适用于许多不同的应用。
- LED调光器或闪光灯
- 切换应用程序
- 功率放大器前置放大器
- 高频切换
- 用于RF频率的调制器和解调器
2D模型和尺寸
如果您使用此组件设计PCB或PERF板，则数据表中的以下图片将有用的是知道其包类型和尺寸。
